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高压下GaAs的电子结构的从头计算

杨维清 朱兴华 魏昭荣 杨定宇 高秀英

四川大学学报(自然科学版)2009,Vol.46Issue(5):1361-1364,4.
四川大学学报(自然科学版)2009,Vol.46Issue(5):1361-1364,4.DOI:103969/j.issn.0490-6756.2009.05.30

高压下GaAs的电子结构的从头计算

Ab initio calculations of electronic structure of GaAs under high pressure

杨维清 1朱兴华 1魏昭荣 1杨定宇 1高秀英1

作者信息

  • 1. 成都信息工程学院光电技术系,成都,610225
  • 折叠

摘要

关键词

闪锌矿结构/密度泛函理论/能带结构

分类

数理科学

引用本文复制引用

杨维清,朱兴华,魏昭荣,杨定宇,高秀英..高压下GaAs的电子结构的从头计算[J].四川大学学报(自然科学版),2009,46(5):1361-1364,4.

基金项目

成都信息工程学院科研基金(200809) (200809)

四川大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

0490-6756

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