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基片温度对掺磷a-Si:H薄膜光电性能的影响

金鑫 李远程 邓坤 陈宇翔 李伟

实验科学与技术2009,Vol.7Issue(5):10-13,72,5.
实验科学与技术2009,Vol.7Issue(5):10-13,72,5.

基片温度对掺磷a-Si:H薄膜光电性能的影响

Influence of Substrate Temperature on the Electronic and Optical Properties of Phosphorus-doped a-Si:H Films

金鑫 1李远程 1邓坤 1陈宇翔 1李伟1

作者信息

  • 1. 电子科技大学光电信息学院,成都,610054
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摘要

关键词

基片温度/a-Si:H薄膜/RF-PECVD/电阻率/光学性能

分类

数理科学

引用本文复制引用

金鑫,李远程,邓坤,陈宇翔,李伟..基片温度对掺磷a-Si:H薄膜光电性能的影响[J].实验科学与技术,2009,7(5):10-13,72,5.

实验科学与技术

1672-4550

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