退火对提拉法生长Lu2Si2O7:Ce晶体闪烁性能的影响OA北大核心CSCDCSTPCD
Effect of Annealing Treatments on Scintillation Properties of Lu2Si2O7:Ce Grown by Czochralski Method
Lu2Si2O7:Ce (LPS:Ce)表现出较高的光输出,平均值约26000photons/MeV (简写为ph/MeV),但通过提拉法获得的晶体发光效率很低. 实验对LPS:Ce晶体进行了不同气氛下的退火,研究退火条件对LPS:Ce的发光效率等闪烁性能的影响. 发现在Ar气氛下退火对LPS:Ce发光效率的提高没有作用,在空气气氛下退火后可显著提高LPS:Ce的发光效率. 通过不同退火工艺的比较,确定了提高LPS:Ce发光效率的最佳退火制度:空…查看全部>>
冯鹤;丁栋舟;李焕英;陆晟;潘尚可;陈晓峰;张卫东;任国浩
中国科学院,上海硅酸盐研究所,中试基地,上海,201800中国科学院,上海硅酸盐研究所,中试基地,上海,201800中国科学院,上海硅酸盐研究所,中试基地,上海,201800中国科学院,上海硅酸盐研究所,中试基地,上海,201800中国科学院,上海硅酸盐研究所,中试基地,上海,201800中国科学院,上海硅酸盐研究所,中试基地,上海,201800中国科学院,上海硅酸盐研究所,中试基地,上海,201800中国科学院,上海硅酸盐研究所,中试基地,上海,201800
数理科学
LPS:Ce晶体退火制度发光效率吸收谱发射光谱
《无机材料学报》 2009 (5)
1054-1058,5
中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目 (SCX200701,SCX200708)国家"863"计划(2007AA03Z444)
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