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P种子层对单室制备微晶硅电池性能的影响

王光红 赵颖 张晓丹 许盛之 孙福河 岳强 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍

物理学报2009,Vol.58Issue(10):7294-7299,6.
物理学报2009,Vol.58Issue(10):7294-7299,6.

P种子层对单室制备微晶硅电池性能的影响

Effects of p-seeding layer on the performance of microcrystalline silicon solar cells deposited in single chamber

王光红 1赵颖 1张晓丹 1许盛之 1孙福河 1岳强 1魏长春 1孙建 1耿新华 1熊绍珍1

作者信息

  • 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071
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摘要

关键词

单室/甚高频等离子体增强化学气相沉积/微晶硅太阳电池/p种子层

分类

数理科学

引用本文复制引用

王光红,赵颖,张晓丹,许盛之,孙福河,岳强,魏长春,孙建,耿新华,熊绍珍..P种子层对单室制备微晶硅电池性能的影响[J].物理学报,2009,58(10):7294-7299,6.

基金项目

国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202602,2006CB202603)、国家自然科学基金(批准号:60506003)、南开大学博士科研启动基金(批准号:J02031)、科技部国际合作计划重点项目(批准号:2006DFA62390)、国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA05Z436)、天津市科技支撑计划(批准号:NCET60506003)资助的课题. (批准号:2006CB202602,2006CB202603)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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