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沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响

岑态 章岳光 陈卫兰 顾培夫

物理学报2009，Vol.58Issue(10)：7025-7029,5.
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物理学报2009，Vol.58Issue(10)：7025-7029,5.

沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响

Influences of deposition rate and oxygen partial pressure on residual stress of HfO2 films

岑态 1章岳光 2陈卫兰 2顾培夫2

作者信息

  • 1. 复旦大学电光源与照明工程学系,上海,200433
  • 2. 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州,310027
  • 折叠

摘要

关键词

残余应力/HfO2薄膜/沉积速率/氧分压

分类

数理科学

引用本文复制引用

岑态,章岳光,陈卫兰,顾培夫..沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响[J].物理学报,2009,58(10):7025-7029,5.

基金项目

国家科学自然基金(批准号:60778025)资助的课题. （批准号:60778025）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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