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氮化温度对有机沉淀法制备GaN纳米粉体的影响

薛小霜 王芬 崔珊

陕西科技大学学报(自然科学版)2009,Vol.27Issue(5):36-39,56,5.
陕西科技大学学报(自然科学版)2009,Vol.27Issue(5):36-39,56,5.

氮化温度对有机沉淀法制备GaN纳米粉体的影响

EFFECTS OF AMMONIATING TEMPERATURE ON SYNTHESIS OF GALLIUM NITRIDE (GAN) NANOPOWDERS BY ORGANIC DEPOSITION METHOD

薛小霜 1王芬 1崔珊1

作者信息

  • 1. 陕西科技大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710021
  • 折叠

摘要

关键词

硝酸镓/有机沉淀法/GaN纳米粉体

分类

电子信息工程

引用本文复制引用

薛小霜,王芬,崔珊..氮化温度对有机沉淀法制备GaN纳米粉体的影响[J].陕西科技大学学报(自然科学版),2009,27(5):36-39,56,5.

基金项目

国家自然科学基金项目(50802057)、陕西科技大学科研启动基金项目 (50802057)

陕西科技大学学报(自然科学版)

OACSTPCD

2096-398X

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