西南交通大学学报2009，Vol.44Issue(5)：648-653,6.DOI:10.3969/j.issn.0258-2724.2009.05.004
平面工艺IGBT制作及导通压降的PIN模型计算
Planar IGBT Fabrication and Forward Voltage Drop Calculated by PIN Model
摘要
关键词
绝缘栅双极晶体管/设计/工艺/PIN模型/制作分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
袁寿财,刘亚媚..平面工艺IGBT制作及导通压降的PIN模型计算[J].西南交通大学学报,2009,44(5):648-653,6.基金项目
江西省教育厅基金资助项目(GJJ08380) （GJJ08380）
江西省自然科学基金资助项目(资助项目2008GZH0018) （资助项目2008GZH0018）
