原子能科学技术2010，Vol.44Issue(2)：215-219,5.
特征工艺尺寸对CMOS SRAM 抗单粒子翻转性能的影响
Impact of Technology Trends on Single Event Upset Resistance of CMOS SRAM
张科营 1郭红霞 1罗尹虹 1何宝平 1姚志斌 1张凤祁 1王园明1
作者信息
- 1. 西北核技术研究所,陕西,西安,710024
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摘要
关键词
特征尺寸/临界电荷/LET阈值/单粒子翻转/CMOS SRAM分类
数理科学引用本文复制引用
张科营,郭红霞,罗尹虹,何宝平,姚志斌,张凤祁,王园明..特征工艺尺寸对CMOS SRAM 抗单粒子翻转性能的影响[J].原子能科学技术,2010,44(2):215-219,5.
