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电压源换流器高压直流输电装置中IGBT的过电流失效机制

罗湘 汤广福 温家良 贺之渊 庞辉 郑健超

中国电机工程学报2009,Vol.29Issue(33):1-7,7.
中国电机工程学报2009,Vol.29Issue(33):1-7,7.

电压源换流器高压直流输电装置中IGBT的过电流失效机制

Over-current Failure Mechanism of IGBT Within Voltage Source Converter Based High Voltage Direct Current

罗湘 1汤广福 1温家良 1贺之渊 1庞辉 1郑健超1

作者信息

  • 1. 中国电力科学研究院,北京市,海淀区,100192
  • 折叠

摘要

关键词

电压源换流器高压直流输电装置/绝缘栅双极型晶体管阀/过电流/失效机制

Key words

voltage source converter based high voltage direct current equipment (VSC-HVDC)/insulated gate bipolar transistor (IGBT)/over-current/failure mechanism

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

罗湘,汤广福,温家良,贺之渊,庞辉,郑健超..电压源换流器高压直流输电装置中IGBT的过电流失效机制[J].中国电机工程学报,2009,29(33):1-7,7.

基金项目

国家重点基础研究发展规划项目(973项目)(2004CB217907) (973项目)

国家自然科学基金资助项目(50777058). (50777058)

中国电机工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0258-8013

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