真空电子技术Issue(3)：56-59,4.
含钪钡钨阴极龟裂原因分析
The Crazing Analysis in Sc2O3 Dispersed Barium Tungsten Cathode
杜支波 1包生祥 1张德政1
作者信息
- 1. 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054
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摘要
关键词
钡钨阴极/微观结构/失效分析/龟裂分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杜支波,包生祥,张德政..含钪钡钨阴极龟裂原因分析[J].真空电子技术,2009,(3):56-59,4.
