氟掺杂氧化锡薄膜载体材料在不同介质溶液中的电学稳定性OACSCDCSTPCD
Electrical stability of fluorine doped tin oxide films carrier materials of electrochemical DNA biochip in different media solutions
背景:在电化学基因芯片中,氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜载体材料的化学修饰、DNA杂交反应等需要在不同的介质溶液中进行,而各种介质溶液腐蚀会对其性能产生较大的影响,甚至出现性能劣化或失效现象.目的:观察氟掺杂氧化锡薄膜载体材料在NaOH、NaCl、Na2SO4介质溶液中的电学稳定性.方法:利用相对电阻变化(ΔR/R)方法观察了氟掺杂氧化锡薄膜在温度分别为25 ℃和50 ℃、浓度为1 mol/L的NaOH、NaCl、Na2SO4介质溶液中的电学稳定性.…查看全部>>
BACKGROUND: In electrochemical gene chip, chemical modification of the fluorine doped tin oxide (FTO) films carrier materialsand DNA hybridization reactions need to carry on the different media solutions. The corrosion of various media would have agreater influence on characteristics of the carrier materials, and may be cause degradation or failure phenomenon of the carriermaterials.OBJECTIVE: To observe the electrical stability of the FTO films carrier mate…查看全部>>
张玉勤;吴回君;蒋业华;周荣
昆明理工大学材料科学与工程学院,云南省昆明市,650093昆明理工大学材料科学与工程学院,云南省昆明市,650093昆明理工大学材料科学与工程学院,云南省昆明市,650093昆明理工大学材料科学与工程学院,云南省昆明市,650093
基础医学
氟掺杂氧化锡薄膜载体材料介质溶液电学稳定性相对电阻变化
《中国组织工程研究与临床康复》 2011 (34)
基因芯片用掺杂氧化锡薄膜载体材料的物化特性及其对生物电信号传递的影响机制
6292-6295,4
国家自然科学基金项目(50902063)云南省应用基础研究项目(2007E191M)云南省教育厅科学研究基金项目(08J0011).
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