井冈山大学学报（自然科学版）2011，Vol.32Issue(5)：76-81,6.DOI:10.3969/j.issn.1674-8085.2011.05.017
新一代CMOS器件栅介质材料研究进展
THE STUDYING PROGRESS ON THE NEXT GENERATION GATE DIELECTRIC MATERIALS FOR CMOS DEVICES
摘要
关键词
高介电常数/栅介质/等效氧化层厚度/漏电流分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郭鸣,周松华,刘昌鑫..新一代CMOS器件栅介质材料研究进展[J].井冈山大学学报（自然科学版）,2011,32(5):76-81,6.基金项目
江西省教育厅科技项目(GJJ11181、GJJ08417) （GJJ11181、GJJ08417）
井冈山大学博士科研启动基金项目 （）
华东师范大学优秀博士研究生培养基金(20080051) （20080051）
