CuI/Al双层电极的有机场效应晶体管OA北大核心CSCDCSTPCD
Organic field-effect transistor with low-cost CuI/Al bilayer electrode
制备了CuI/Al为源极和漏电极的并五苯基场效应晶体管.相对于纯金属（Al,Au）电极的晶体管,所研制的晶体管的迁移率、阈值电压VT、开关电流比Ion/Ioff等参数都有明显改善.研究发现,在Al电极与并五苯半导体之间引入CuI作为空穴注入层,能够明显降低Al电极与并五苯之间的空穴注入势垒.紫外-可见光谱和X射线光电子能谱数据表明,这种空穴注入势垒的降低源自并五苯和Al向CuI的电子转移.
An organic field-effect transistor based on pentacene semiconductor with CuI/Al bilayer electrode is investigated.The CuI layer,directly contacting the organic semiconductor layer,serves as the hole-injection layer.The overcoated metal layer is responsible for the reduction in contact barrier.Compared with the device with a single metal （Al,Au） layer used as the source-drain electrode,the device with CuI/Al electrodes considerably improves the hole mobility …查看全部>>
聂国政;彭俊彪;周仁龙
华南理工大学高分子光电材料与器件研究所,广州510640湖南科技大学物理学院,湘潭411201华南理工大学高分子光电材料与器件研究所,广州510640
信息技术与安全科学
有机场效应晶体管CuI/Al双层源漏电极电子转移
organic field-effect transistorCuI/Al bilayer electrodeselectron transfer
《物理学报》 2011 (12)
518-523,6
国家自然科学基金（批准号：60937001 61036007）国家重点基础研究发展计划（批准号：2009CB930604 2009CB623604）国家高技术研究发展计划（批准号：2008AA03A335）湖南省教育厅科研基金（批准号：90C404）资助的课题
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