四川大学学报（自然科学版）2012，Vol.49Issue(1)：163-167,5.DOI:10.3969/j.issn.0490-6756.2012.01.027
梯度α-Ta(N)/TaN扩散阻挡层的微结构与热稳性定
Thermal stability and microstructure of graded α-Ta(N)/TaN bi-layer diffusion barrier
摘要
Abstract
α-Ta(N)/TaN bi-layers diffusion barriers with lower resistance were prepared by a magnetron sputtering method with controlling N2 flow rate forming a transition layer on TaN layer. Four-point probe (FPP), X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were used for characterization of the diffusion barriers microstructure before and after annealing The results show that the as-deposited graded α-Ta(N)/TaN bi-layer films have lower resistivity and good crystallinity.and the graded α-Ta(N)/TaN bi-layer diffusion barrier has an excellent thermally stability. Its failure temperature can be up to 800℃.关键词
扩散阻挡层/电阻率/热稳定性/微结构Key words
diffusion barrier/resistivity/thermal stability/microstructure分类
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刘春海,尹旭,安竹,宋忠孝,汪渊..梯度α-Ta(N)/TaN扩散阻挡层的微结构与热稳性定[J].四川大学学报（自然科学版）,2012,49(1):163-167,5.基金项目
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