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ALD中射频阻抗匹配器的设计与研究

孙小孟 李勇滔 夏洋 李超波 李英杰 陈盛云 赵章琰 秦威

现代电子技术2012,Vol.35Issue(3):202-203,206,3.
现代电子技术2012,Vol.35Issue(3):202-203,206,3.

ALD中射频阻抗匹配器的设计与研究

Design and research of RF impedance matching device in ALD

孙小孟 1李勇滔 2夏洋 2李超波 2李英杰 2陈盛云 2赵章琰 1秦威2

作者信息

  • 1. 昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南昆明 650000
  • 2. 中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室,北京 100029
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摘要

Abstract

The design of RF impedance matching device in the atomic layer deposition (ALD) system is described. The impedance matching network was simulated with ADS. Through analyzing the load impedance characteristic before and after the plasma generating in the vacuum chamber, and combining with the simulation results, the control method of impedance matching network when the plasma produce is proposed. The experiment proves that impedance matching can be realized by this impedance matching device and the control method.

关键词

射频阻抗匹配器/阻抗匹配网络/ALD/ADS

Key words

RF impedance matching device/ impedance matching network/ ALD/ ADS

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

孙小孟,李勇滔,夏洋,李超波,李英杰,陈盛云,赵章琰,秦威..ALD中射频阻抗匹配器的设计与研究[J].现代电子技术,2012,35(3):202-203,206,3.

基金项目

国家科技重大专项(2009ZX02037) (2009ZX02037)

现代电子技术

OACSTPCD

1004-373X

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