金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究OA北大核心CSCDCSTPCD
A radiation degradation model of metal-oxide-semiconductor field effect transistor
基于氧化层陷阱电荷以及界面陷阱电荷的产生动力学以及辐射应力损伤的微观机理，推导出了金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）中辐射应力引起的氧化层陷阱电荷、界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量之间定量关系的模型．根据模型可以得到：低剂量情况下，氧化层陷阱电荷与界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量成正比：高剂量情况下，氧化层陷阱电荷导致的阈值电压漂移量发生饱和，其峰值与辐射剂量无关，界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量呈指数关系…查看全部>>
Based on the production kinetics of oxide-trapped charge and interface-trapped charge and the microscopic mechanism of radi- ation damage, a model of post-irradiation threshold voltage drift due to oxide trap and interface trap as a function of radiation dose is proposed. This model predicts that the post-irradiation threshold voltage drift due to oxide trap and interface trap would be linear in dose at low dose levels. At high dose levels, the post-irradiat…查看全部>>
孙鹏;杜磊;陈文豪;何亮;张晓芳
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信息技术与安全科学
界面陷阱氧化层陷阱金属-氧化物-半导体场效应管辐射
interface trapoxide trapmetal-oxide-semiconductor field effect transistorradiation
《物理学报》 2012 (10)
442-446,5
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