静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究OA北大核心CSCDCSTPCD
Research on Total Dose Irradiation and Annealing Effect of Static Random Access Memory
通过比较1 Mbit商用静态随机存储器(SRAM)在6种不同偏置条件下器件参数(静态和动态功耗电流)和功能参数(错误数)随辐射总剂量、退火时间的变化规律,研究了不同工作状态对辐射损伤的影响,以及不同偏置和温度(25℃和100℃)条件下的退火机制.结果表明:不同偏置对器件参数和功能退化及退火恢复有较大影响；静态和动态功耗电流为器件的敏感参数,在静态偏置条件下器件的辐射损伤最严重.
By comparing changes of device parameters (standby and operating power supply currents) and functional parameters (errors) with the total radiation dose and annealing time for 1 Mbit commercial static random access memory (SRAM) under the six biasesi impacts of the different working conditions on radiation damage and annealing at the different biases and temperatures (25 *C and 100 "C) were investigated. The different biases have great influence on the degra…查看全部>>
李明;余学峰;许发月;李茂顺;高博;崔江维;周东;席善斌;王飞
中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011中国科学院研究生院,北京100049中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011中国科学院研究生院,北京100049中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011
信息技术与安全科学
静态随机存储器总剂量效应功耗电流退火效应
SRAM total dose effect power supply current annealing effect
《原子能科学技术》 2012 (4)
507-512,6
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