非晶态碲镉汞的暗电导率和吸收边OA北大核心CSCDCSTPCD
Dark Conductivity and Absorption Edge of Amorphous Hg0.8Cd0.2Te Film
研究了非晶态碲镉汞(x=0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.88～0.91 eV之间,与通过光学方法获得的结果相符.在80～240K的温度区间非晶态碲镉汞(x=0.2)的暗电导率从1×10-8Ω-1·cm-1缓慢增大到5×10- 8Ω-1-cm-1,温度大于240K时,其电导率剧烈增大到1×10-5Ω-1·cm-1,说明在240K附近非晶态碲镉汞材料的导电机制发生了变化,这对非…查看全部>>
Abstract:Experimental results on the temperature dependence of the conductivity and the spectrum of the absorption coefficient of amorphous Hg0.8Cd0.2Te are reported.Amorphous Hg0.8Cd0.2Te is found to be a semiconductor with a 0.88-0.91 eV band gap.Conductivity of amorphous Hg0.8Cd0.2Te increase slowly from 1 × 10-8 Ω-1·cm -1 to 5× 10-8 Ω-1·cm-1 in the temperature range of 80 K to 240 K,increase drastically from 5× 10-8 Ω-1·cm-1 to 1 × 10-5 Ω-1·cm-1 when tem…查看全部>>
孔金丞;张鹏举;杨佩原;李雄军;孔令德;杨丽丽;赵俊;王光华;姬荣斌
昆明物理研究所,云南昆明650223昆明物理研究所,云南昆明650223中国兵器科学研究院,北京100089昆明物理研究所,云南昆明650223昆明物理研究所,云南昆明650223昆明物理研究所,云南昆明650223昆明物理研究所,云南昆明650223昆明物理研究所,云南昆明650223昆明物理研究所,云南昆明650223
信息技术与安全科学
非晶态碲镉汞电导率吸收边
amorphous Hg0.8Cd0.2Teconductivityabsorption edge
《红外技术》 2012 (5)
非晶态碲镉汞薄膜制备与光电特性研究
268-271,4
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (No.60576069)
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