| 注册
首页|期刊导航|天津工业大学学报|电子束辐照对AlGaInP基红光LED光学性能的影响

电子束辐照对AlGaInP基红光LED光学性能的影响

侯莎 牛萍娟 于莉媛

天津工业大学学报2012,Vol.31Issue(5):74-76,3.
天津工业大学学报2012,Vol.31Issue(5):74-76,3.

电子束辐照对AlGaInP基红光LED光学性能的影响

Influence of electron beam irradiation on optical property of AlGaInP-based red LED

侯莎 1牛萍娟 2于莉媛2

作者信息

  • 1. 天津工业大学电子与信息工程学院,天津300387
  • 2. 天津工业大学电气工程与自动化学院,天津300387
  • 折叠

摘要

Abstract

The influence of low energy electron beam irradiation on optical property of AlGalnP-based red LED was studied. This experimental used the electron beams which have different doses to irradiate the AlGalnP-based red LED, and compared the luminous intensity of these LED which irradiated and un -irradiated. The results showed that the luminous intensity of LED which irradiated were improved, the luminous intensity of the test points on the same epitaxial wafer was not uniform.

关键词

电子束辐照/LED/光学性能/发光强度

Key words

electron-beam irradiation/ LED/ optical property/ luminous intensity

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

侯莎,牛萍娟,于莉媛..电子束辐照对AlGaInP基红光LED光学性能的影响[J].天津工业大学学报,2012,31(5):74-76,3.

基金项目

天津市教委发展基金重点项目(ZD200721) (ZD200721)

天津市科研院所技术开发工作扶持经费项目 ()

天津工业大学学报

OA北大核心CSTPCD

1671-024X

访问量7
|
下载量0
段落导航相关论文