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电源学报
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梯度放大器中MOSFET器件功率损耗分析
梯度放大器中MOSFET器件功率损耗分析
王斌
蒋晓华
电源学报
Issue(1)：39-44,6.
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电源学报
Issue(1)
：39-44,6.
梯度放大器中MOSFET器件功率损耗分析
Power Losses of MOSFET in Gradient Amplifier
王斌
1
蒋晓华
1
作者信息
1.
清华大学电机系,北京100086
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摘要
关键词
梯度放大器
/
MOSFET建模
/
功率损耗
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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王斌,蒋晓华..梯度放大器中MOSFET器件功率损耗分析[J].电源学报,2013,(1):39-44,6.
电源学报
OA
CSCD
ISSN：
2095-2805
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