Si衬底上生长的MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线的STM和XPS分析OA北大核心CSCDCSTPCD
Scanning tunneling mircroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy studies of MnSi film and MnSi1.7 nanowires grown on Si substrates
本文采用分子束外延方法制备出MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线，利用扫描隧道显微镜进行观察，采用X射线光电子能谱仪系统地分析了MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线的Mn2p和Si2p．结果表明厚度为-0．9nm的MnSi薄膜表面为／3×／3重构，MnSi1．7纳米线长50ff--1500nm，宽16—18nm，高-3nm．MnSi薄膜的Mn2p1／2和Mn2p3／2峰位与MnSil．7纳米线相同，均分别为649．7eV和638．7ev结合能在640…查看全部>>
Manganese silicides are promising industrial materials in optoelectronics and microelectronics fields. The study of electronic structures of manganese silicide film and nanowires is essential for a deeper understanding of their properties. In this paper, MnSi film and MnSil.7 nanowires are prepared by molecular beam epitaxy method, and then observed by scanning tunneling microscopy (STM). The Mn 2p and Si 2p of MnSi film and MnSil. 7 nanowires are comprehens…查看全部>>
石高明;邹志强;孙立民;李玮聪;刘晓勇
上海交通大学分析测试中心,上海200240 上海交通大学物理系,上海200240上海交通大学分析测试中心,上海200240 上海交通大学物理系,上海200240上海交通大学分析测试中心,上海200240上海交通大学分析测试中心,上海200240上海交通大学分析测试中心,上海200240 上海交通大学物理系,上海200240
数理科学
X射线光电子能谱扫描隧道显微镜纳米线薄膜
X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)scanning tunneling microscopy (STM)nanowiresfilm
《物理学报》 2012 (22)
铁磁性MnSi有序超薄膜在Si基底上的外延生长及其掺杂特性研究
395-401,7
国家自然科学基金（批准号：61176017）和上海市教育委员会科研创新项目（批准号：12ZZ025）资助的课题.
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