集美大学学报（自然科学版）2013，Vol.18Issue(2)：157-160,4.
氧空位对ZrSiO基MIM结构电容电学性能的影响
Influence of Oxygen Vacancies on the Electrical Properties of ZrSiO Thin Fims Based Metal-Insulator-Metal Structure Capacitor Applications
摘要
关键词
氧空位/MIM电容/ZrSiO分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
徐文彬,任高潮..氧空位对ZrSiO基MIM结构电容电学性能的影响[J].集美大学学报（自然科学版）,2013,18(2):157-160,4.基金项目
福建省自然科学基金资助项目(2010J05136) （2010J05136）
福建省教育厅基金资助项目(JA11158) （JA11158）
