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基于GaN HEMT的1.5~3.5GHz宽带平衡功率放大器设计

冷永清 张立军 曾云 鲁辉 郑占旗 张国梁 彭伟 彭亚涛 官劲

电子学报2013,Vol.41Issue(4):815-820,6.
电子学报2013,Vol.41Issue(4):815-820,6.DOI:10.3969/j.issn.0372-2112.2013.04.032

基于GaN HEMT的1.5~3.5GHz宽带平衡功率放大器设计

Design of a 1.5 ~ 3.5GHz Octave Bandwidth Balanced Power Amplifier in GaN HEMT Technology

冷永清 1张立军 2曾云 1鲁辉 2郑占旗 2张国梁 1彭伟 1彭亚涛 2官劲2

作者信息

  • 1. 湖南大学物理与微电子科学学院,湖南长沙 410082
  • 2. 中国科学院微电子研究所,北京 100029
  • 折叠

摘要

关键词

宽带功率放大器/GaN HEMT/平衡功率放大器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

冷永清,张立军,曾云,鲁辉,郑占旗,张国梁,彭伟,彭亚涛,官劲..基于GaN HEMT的1.5~3.5GHz宽带平衡功率放大器设计[J].电子学报,2013,41(4):815-820,6.

基金项目

国家973重点基础研究发展计划(No.2010CB327506) (No.2010CB327506)

国家自然科学基金(No.61040061) (No.61040061)

湖南省自然科学基金(No.11JJ2034) (No.11JJ2034)

电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0372-2112

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