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低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征

万文坚 尹嵘 韩英军 王丰 郭旭光 曹俊诚

强激光与粒子束2013,Vol.25Issue(6):1523-1526,4.
强激光与粒子束2013,Vol.25Issue(6):1523-1526,4.DOI:10.3788/HPLPB20132506.1523

低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征

Molecular beam epitaxy growth and characterization of low-temperature InGaAs/InAlAs multiple quantum wells

万文坚 1尹嵘 1韩英军 1王丰 1郭旭光 1曹俊诚1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,太赫兹固态技术重点实验室,上海200050
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摘要

关键词

低温InGaAs/InGaAs/InAlAs/多量子阱/分子束外延

分类

数理科学

引用本文复制引用

万文坚,尹嵘,韩英军,王丰,郭旭光,曹俊诚..低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征[J].强激光与粒子束,2013,25(6):1523-1526,4.

基金项目

国家高技术发展计划项目 ()

国家自然科学基金项目(61131006,61021064) (61131006,61021064)

国家重大科学仪器设备开发专项(2011YQ150021) (2011YQ150021)

国家科技重大专项(2011ZX02707) (2011ZX02707)

中科院重要方向项目(YYYJ-1123-1) (YYYJ-1123-1)

强激光与粒子束

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-4322

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