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电源学报
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SiC MOSFET驱动电路及实验分析
SiC MOSFET驱动电路及实验分析
张旭
陈敏
徐德鸿
电源学报
Issue(3)：71-76,6.
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电源学报
Issue(3)
：71-76,6.
SiC MOSFET驱动电路及实验分析
SiC MOSFET Driver and Experiment Analysis
张旭
1
陈敏
1
徐德鸿
1
作者信息
1.
浙江大学,浙江杭州310027
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摘要
关键词
SiC MOSFET
/
驱动电路
/
开关时间
/
开关损耗
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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张旭,陈敏,徐德鸿..SiC MOSFET驱动电路及实验分析[J].电源学报,2013,(3):71-76,6.
电源学报
OA
CSCD
ISSN：
2095-2805
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