强激光与粒子束2013，Vol.25Issue(7)：1793-1797,5.DOI:10.3788/HPLPB20132507.1793
4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性
Charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode
摘要
关键词
电荷收集效率/半导体探测器/宽禁带半导体/4H碳化硅引用本文复制引用
吴健,雷家荣,蒋勇,陈雨,荣茹,范晓强..4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性[J].强激光与粒子束,2013,25(7):1793-1797,5.基金项目
国家自然科学基金项目(11205140) （11205140）
中国工程物理研究院科学技术发展基金项目(2012B0103005) （2012B0103005）
