原子能科学技术2013，Vol.47Issue(5)：848-853,6.DOI:10.7538/yzk.2013.47.05.0848
PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究
Research on Enhanced Low Dose Rate Sensitivity Effect for PMOSFET Used in Space Dosimeter
高博 1刘刚 1王立新 1韩郑生 1余学峰 2任迪远 2孙静2
作者信息
- 1. 中国科学院微电子研究所,北京100029
- 2. 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐 830011
- 折叠
摘要
关键词
PMOSFET/退火效应/低剂量率辐射损伤增强效应分类
航空航天引用本文复制引用
高博,刘刚,王立新,韩郑生,余学峰,任迪远,孙静..PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究[J].原子能科学技术,2013,47(5):848-853,6.
