| 注册
首页|期刊导航|电源技术|HIT电池缓冲层的关键技术发展概述

HIT电池缓冲层的关键技术发展概述

白晓宇 郭群超 李红波

电源技术2013,Vol.37Issue(4):690-692,3.
电源技术2013,Vol.37Issue(4):690-692,3.

HIT电池缓冲层的关键技术发展概述

Overview of key technology development of HIT solar cells' buffer layer

白晓宇 1郭群超 2李红波1

作者信息

  • 1. 上海太阳能工程技术研究中心,上海200241
  • 2. 上海空间电源研究所,上海200245
  • 折叠

摘要

关键词

HIT电池/缓冲层/外延/缺陷态密度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

白晓宇,郭群超,李红波..HIT电池缓冲层的关键技术发展概述[J].电源技术,2013,37(4):690-692,3.

基金项目

国家科技支撑计划(2010BAK69B25) (2010BAK69B25)

电源技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1002-087X

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文