电子器件2013，Vol.36Issue(2)：139-142,4.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2013.02.001
基于0.18 μm工艺SOI技术60 V LDMOS的设计与分析
0.18 μm 60 V SOI LDNMOS Technology Design and Analysis
摘要
关键词
绝缘体上硅/LDMOS/器件流片测试/器件结构/直流特性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
戚帆,檀柏梅,翁坤,宋雯..基于0.18 μm工艺SOI技术60 V LDMOS的设计与分析[J].电子器件,2013,36(2):139-142,4.基金项目
天津市科技支撑计划项目(10ZCKFGX1300) （10ZCKFGX1300）
