人工晶体学报2013，Vol.42Issue(5)：865-868,4.
Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响
Effect of Annealing on the Surface Structure of 6H-SiC Wafer in Ar Atmosphere
摘要
关键词
6H-SiC/退火/AFM/台阶结构分类
数理科学引用本文复制引用
姜涛,严成锋,陈建军,刘熙,杨建华,施尔畏..Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响[J].人工晶体学报,2013,42(5):865-868,4.基金项目
国家自然科学青年基金(51002176) （51002176）
中国科学院知识创新工程重要方向项目(KJCX2-EW-W10) （KJCX2-EW-W10）
江苏省产学联合技术创新基金项目(BY2011119) （BY2011119）
国家高技术研究发展计划(863计划)(2013AA031603) （863计划）
