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温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响

于杰 王茺 杨洲 胡伟达 杨宇

人工晶体学报2013，Vol.42Issue(5)：875-879,885,6.
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人工晶体学报2013，Vol.42Issue(5)：875-879,885,6.

温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响

Effects of Temperature on Electrical Characteristics of Strained SiGe Channel-on-Insulator p-MOSFET

于杰 1王茺 1杨洲 1胡伟达 2杨宇1

作者信息

  • 1. 云南大学光电信息材料研究所,昆明650091
  • 2. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083
  • 折叠

摘要

关键词

温度/应变SiGe沟道/p-MOSFET/自热效应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

于杰,王茺,杨洲,胡伟达,杨宇..温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响[J].人工晶体学报,2013,42(5):875-879,885,6.

基金项目

国家自然科学基金(10990103,11274266) （10990103,11274266）

教育部科学技术研究重点(210207) （210207）

云南省自然基金重点资助项目(2008CC012) （2008CC012）

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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