固结磨料研磨SiC晶片亚表面损伤截面显微检测技术OA北大核心CSCDCSTPCD
Cross-sectional Microscopy Detection Technology for Subsurface Damage of Fixed Abrasive Lapped SiC Wafers
本文对采用截面显微检测法检测SiC晶片亚表面损伤时样品的制备、腐蚀液配方及腐蚀环境进行了系统地研究,并重点分析了固结磨料研磨SiC晶片(0001) Si面和(0001)C面亚表面损伤的深度及微裂纹构型.结果表明,采用腐蚀液配方为KOH:K2CO3 =20 g∶1 g,在420℃下腐蚀3min时亚表面损伤观测效果较好.在研磨压力为2 psi、金刚石磨粒粒径14 μm时,固结磨料研磨SiC晶片的亚表面损伤层深度约为2.6 μn,亚表面微裂纹构型有垂线…查看全部>>
张银霞;杨乐乐;郜伟;苏建修
郑州大学机械工程学院,郑州450001郑州大学机械工程学院,郑州450001郑州大学机械工程学院,郑州450001河南科技学院机电学院,新乡453003
信息技术与安全科学
SiC晶片截面显微法亚表面损伤固结磨料研磨
《人工晶体学报》 2013 (5)
耦合能量超精密加工SiC单晶基片的机理与工艺研究
906-910,5
国家自然科学基金(51075125)河南省教育厅自然科学研究资助项目(13B460361)
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