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衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响

杨德超 梁红伟 邱宇 宋世巍 申人升 柳阳 夏晓川 俞振南 杜国同

发光学报2013，Vol.34Issue(3)：340-344,5.
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发光学报2013，Vol.34Issue(3)：340-344,5.DOI:10.3788/fgxb20133403.0340

衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响

The Influence of Substrate Bow on The Properties of GaN-based Light Emitting Diode Chips

杨德超 1梁红伟 2邱宇 3宋世巍 2申人升 2柳阳 2夏晓川 2俞振南 2杜国同4

作者信息

  • 1. 吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春 130023
  • 2. 大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连 116024
  • 3. 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050
  • 4. 浙江水晶光电科技股份有限公司,浙江台州 318015
  • 折叠

摘要

关键词

GaN/LED/弯曲度/残余应力

分类

数理科学

引用本文复制引用

杨德超,梁红伟,邱宇,宋世巍,申人升,柳阳,夏晓川,俞振南,杜国同..衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响[J].发光学报,2013,34(3):340-344,5.

基金项目

国家自然科学基金(60976010,61076045,11004020) （60976010,61076045,11004020）

国家"863"高科技研究发展项目(2011AA03A102) （2011AA03A102）

中央高校基本科研基金(DUT12LK22,DUT11LK43,DUT11RC(3)45) （DUT12LK22,DUT11LK43,DUT11RC(3）

高等学校博士学科点专项科研基金(20110041120045) （20110041120045）

信息学功能材料国家重点实验室开放基金资助项目 （）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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