人工晶体学报2013，Vol.42Issue(3)：402-407,6.
四甲基硅烷流量对硬质合金表面沉积的SiC涂层的影响
Influence of TMS Flow Rate on SiC Films Deposited on Cemented Carbide Substrates
黑鸿君 1于盛旺 2刘艳青 1丁明辉 1李义锋 1唐伟忠1
作者信息
- 1. 北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083
- 2. 太原理工大学表面工程研究所,太原030024
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摘要
关键词
HCDCA CVD/SiC过渡层/金刚石涂层/附着力分类
化学化工引用本文复制引用
黑鸿君,于盛旺,刘艳青,丁明辉,李义锋,唐伟忠..四甲基硅烷流量对硬质合金表面沉积的SiC涂层的影响[J].人工晶体学报,2013,42(3):402-407,6.
