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区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算

曲翔 陈海滨 方锋 汪丽都 周旗钢 闫志瑞

人工晶体学报2013，Vol.42Issue(3)：456-460,5.
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人工晶体学报2013，Vol.42Issue(3)：456-460,5.

区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算

Theoretical Calculation on Resistivity of Float-Zone Silicon Single Crystal Using Gas Doping

曲翔 1陈海滨 2方锋 3汪丽都 3周旗钢 2闫志瑞1

作者信息

  • 1. 北京有色金属研究总院,北京100088
  • 2. 有研半导体材料股份有限公司,北京100088
  • 3. 国泰半导体材料有限公司,北京101300
  • 折叠

摘要

关键词

气相掺杂/区熔硅单晶/电阻率

分类

数理科学

引用本文复制引用

曲翔,陈海滨,方锋,汪丽都,周旗钢,闫志瑞..区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算[J].人工晶体学报,2013,42(3):456-460,5.

基金项目

硅材料设备应用工程(41091) （41091）

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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