短波320×256抗辐射加固读出电路设计OA北大核心CSCDCSTPCD
Radiation-Hardened Design for Short Wave 320×256 Read-Out Integrated Circuit
设计了一款采用 CMOS 工艺的短波320×256抗辐射加固读出电路，分析了 CMOS 工艺抗辐射的特点，重点介绍了模拟通路、偏压产生电路和数字电路的加固设计方法，采用了双环保护结构、对 NMOS 管使用环形栅和冗余设计等措施。该设计电路经过流片，测试结果表明该抗辐射加固设计方法有效可行。
梁艳;李煜;王博;白丕绩;李敏;陈虓
昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223昆明物理研究所,云南 昆明 650223
信息技术与安全科学
CMOS读出电路抗辐射加固
CMOSROICradiation hardened
《红外技术》 2012 (12)
705-708,716,5
国家重大专项项目
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