| 注册
首页|期刊导航|物理学进展|高Al组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展

高Al组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展

陈航洋 刘达艺 李金钗 林伟 杨伟煌 庄芹芹 张彬彬 杨闻操 蔡端俊

物理学进展2013,Vol.33Issue(2):43-56,14.
物理学进展2013,Vol.33Issue(2):43-56,14.

高Al组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展

Development of high Al content structural Ⅲ nitrides and their applications in deep UV-LED

陈航洋 1刘达艺 1李金钗 1林伟 1杨伟煌 1庄芹芹 1张彬彬 1杨闻操 1蔡端俊1

作者信息

  • 1. 厦门大学福建省半导体材料及应用重点实验室,物理系,厦门361005
  • 折叠

摘要

关键词

Ⅲ族氮化物/AlGaN/AlN/MOVPE/紫外LED

分类

数理科学

引用本文复制引用

陈航洋,刘达艺,李金钗,林伟,杨伟煌,庄芹芹,张彬彬,杨闻操,蔡端俊..高Al组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展[J].物理学进展,2013,33(2):43-56,14.

基金项目

本工作得到"973"规划项目(2012CB619301、2011CB25600)、"863"计划项目(2011AA03A111)、国家自然科学基金项目(61227009、90921002)、中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2012121014、CXB2011029)、福建省自然科学基金计划项目(2012J01024)等资助 (2012CB619301、2011CB25600)

物理学进展

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-0542

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文