| 注册
首页|期刊导航|发光学报|导带弯曲对有限深GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中束缚极化子的影响及其压力效应

导带弯曲对有限深GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中束缚极化子的影响及其压力效应

曹艳娟 闫祖威 石磊

发光学报2013,Vol.34Issue(9):1128-1134,7.
发光学报2013,Vol.34Issue(9):1128-1134,7.DOI:10.3788/fgxb20133409.1128

导带弯曲对有限深GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中束缚极化子的影响及其压力效应

Effect of Band Bending on The Bound Polaron in A GaN/Ga1-xAlxN Spherical Finite-potential Quantum Dot Under Pressure

曹艳娟 1闫祖威 1石磊2

作者信息

  • 1. 内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021
  • 2. 内蒙古农业大学理学院,内蒙古呼和浩特010018
  • 折叠

摘要

关键词

量子点/束缚极化子/电子面密度

Key words

quantum dot/the bound polaron/electron areal density

分类

数理科学

引用本文复制引用

曹艳娟,闫祖威,石磊..导带弯曲对有限深GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中束缚极化子的影响及其压力效应[J].发光学报,2013,34(9):1128-1134,7.

基金项目

国家自然科学基金(11364028,10964006) (11364028,10964006)

内蒙古自治区自然科学基金重大项目(2013ZD02) (2013ZD02)

内蒙古农业大学科技创新团队(NDPYTD2010-7)资助项目 (NDPYTD2010-7)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文