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基于a-IGZO TFT的AMOLED像素电路稳定性的仿真研究

贾田颖 詹润泽 董承远

发光学报2013,Vol.34Issue(9):1240-1244,5.
发光学报2013,Vol.34Issue(9):1240-1244,5.DOI:10.3788/fgxb20133409.1240

基于a-IGZO TFT的AMOLED像素电路稳定性的仿真研究

Simulation of The Stability of a-IGZO TFT-OLED Pixel Circuits

贾田颖 1詹润泽 1董承远1

作者信息

  • 1. 上海交通大学电子信息与电气工程学院电子工程系,上海200240
  • 折叠

摘要

关键词

非晶铟镓锌氧化物/AMOLED/薄膜晶体管/像素电路

Key words

a-IGZO/AMOLED/TFT/pixel circuit

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

贾田颖,詹润泽,董承远..基于a-IGZO TFT的AMOLED像素电路稳定性的仿真研究[J].发光学报,2013,34(9):1240-1244,5.

基金项目

国家自然科学基金重点项目(61136004)资助 (61136004)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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