一种MEMS体声波硅谐振器的设计OA北大核心CSTPCD
A Design for MEMS Silicon Bulk Acoustic Wave Resonator
设计了一种基于SOI衬底工艺的MEMS体声波硅谐振器及其制造方法.利用有限元分析软件对该谐振器进行了模态分析,并针对提高品质因数Q,研究了其损耗机制.结果表明:谐振频率可达108 MHz,且取决于硅材料特性和器件尺寸,而品质因数则决定于支撑损耗.最后,从振动模态和传输线模型角度出发,提出了减少支撑损耗提高Q值的可行性方法,包括将支撑梁放置在振动节点处、梁长度设置为弹性波长的1/4及在衬底端设置声波反射器.
吕萍;王明湘;唐梦
苏州大学微电子系,江苏苏州215006苏州大学微电子系,江苏苏州215006苏州大学微电子系,江苏苏州215006
信息技术与安全科学
MEMS体声波硅谐振器有限元分析传输线品质因数支撑损耗
MEMSsilicon bulk acoustic wave resonatorFEAtransmission linequality factorsupport loss
《电子器件》 2013 (5)
662-666,5
江苏省自然科学基金项目(BK2012214)
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