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LDO稳压器敏感度建模与仿真技术

吴建飞 李建成 王宏义 亚历山大·博耶 沈荣骏

国防科技大学学报2013,Vol.35Issue(5):168-173,6.
国防科技大学学报2013,Vol.35Issue(5):168-173,6.

LDO稳压器敏感度建模与仿真技术

LDO regulator immunity modeling and simulation technology

吴建飞 1李建成 1王宏义 1亚历山大·博耶 2沈荣骏1

作者信息

  • 1. 国防科技大学电子科学与工程学院,湖南长沙410073
  • 2. 法国国家科学研究中心,图卢兹31077
  • 折叠

摘要

关键词

LDO稳压器/电磁干扰(EMI)/敏感度/片上电压传感器/寄生元件/直接注入法(DPI

Key words

LDO regulator/electromagnetic interference (EMI)/immunity/on-chip voltage sensor/parasitic elements/direct power injection (DPI)

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴建飞,李建成,王宏义,亚历山大·博耶,沈荣骏..LDO稳压器敏感度建模与仿真技术[J].国防科技大学学报,2013,35(5):168-173,6.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(61176093) (61176093)

国家留学基金委联合培养基金资助项目 ()

国防科技大学学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2486

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