高功率905nm InGaAs隧道结串联叠层半导体激光器OA北大核心CSCDCSTPCD
High power 905 nm InGaAs tunnel junction series stacked semiconductor lasers
设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构,采用分子束外延进行激光器材料的外延生长,材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺,制作成条宽200 μm、腔长800 μm的半导体激光器.两隧道结激光器在脉冲宽度100 ns,重复频率10 kHz,30 A工作电流下输出功率达到80 W,峰值发射波长为905.6 nm,器件的阈值电流为0.8A,水平和垂直方向的发散角分别为7.8°和25°.
李辉;曲轶;张剑家;辛德胜;刘国军
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022
信息技术与安全科学
高功率应变量子阱隧道结半导体激光器
high powerstrained quantum welltunnel junctionsemiconductor lasers
《强激光与粒子束》 2013 (10)
集成紫外生物芯片研究
2517-2520,4
国家自然科学基金项目(60976044)吉林省科技厅项目(20111810)
评论