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N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长

李亮罗伟科李忠辉董逊彭大青张东国

发光学报2013，Vol.34Issue(11)：1500-1504,5.

发光学报2013，Vol.34Issue(11)：1500-1504,5.DOI:10.3788/fgxb20133411.1500

The Study of N-polar GaN Films Grown by MOCVD

李亮 ¹罗伟科 ¹李忠辉 ¹董逊 ¹彭大青 ¹张东国¹

作者信息

氮化镓/氮极性/成核层/金属有机物化学气相沉积

GaN/N-polar/nucleation layer/MOCVD

数理科学

李亮,罗伟科,李忠辉,董逊,彭大青,张东国..N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长[J].发光学报,2013,34(11):1500-1504,5.

江苏省科技支撑计划(BE2010006)资助项目（BE2010006）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-7032

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