计量学报2013，Vol.34Issue(6)：617-622,6.DOI:10.3969/j.issn.1000-1158.2013.06.22
硅片表面超薄氧化硅层厚度测量关键比对CCQM-K32
Key Comparison CCQM-K32 for Thickness Measurement of Ultrathin Silicon Oxides on Silicon Wafer
摘要
关键词
计量学/厚度测量/栅氧化层/SiO2/Si/表面化学分析/X射线光电子能谱/关键比对Key words
Metrology/Thickness measurement/Gate oxide/SiO2/Si/Surface chemical analysis/X-ray photoelectron spectroscopy/Key comparison分类
通用工业技术引用本文复制引用
王海,刘芬,阚莹,宋小平,赵良仲,邱丽美..硅片表面超薄氧化硅层厚度测量关键比对CCQM-K32[J].计量学报,2013,34(6):617-622,6.基金项目
国家科技基础条件平台建设项目(2005DKA10800/2005DKA10806) （2005DKA10800/2005DKA10806）
质检公益性行业科研专项项目(10-199) （10-199）
