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超薄全局应变硅薄膜的应变弛豫研究

刘旭焱 崔明月 海涛 王爱华 蒋华龙

人工晶体学报2013,Vol.42Issue(11):2396-2400,5.
人工晶体学报2013,Vol.42Issue(11):2396-2400,5.

超薄全局应变硅薄膜的应变弛豫研究

Study on Strain Relaxation in Ultrathin Global-strained Si Thin Films

刘旭焱 1崔明月 1海涛 1王爱华 1蒋华龙1

作者信息

  • 1. 南阳师范学院物理与电子工程学院,南阳473061
  • 折叠

摘要

关键词

全局应变硅/纳米图形/应变弛豫/拉曼光谱

Key words

global-strained Si/ nano-pattern/ strain relaxation/ Raman spectroscopy

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘旭焱,崔明月,海涛,王爱华,蒋华龙..超薄全局应变硅薄膜的应变弛豫研究[J].人工晶体学报,2013,42(11):2396-2400,5.

基金项目

国家自然科学基金(61306007) (61306007)

河南省科技攻关重点项目(132102210048) (132102210048)

南阳师范学院专项项目(ZX2012017) (ZX2012017)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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