高压下XeF2结构和电子性质的第一性原理研究

廖大麟李佐王朴程新路

四川师范大学学报（自然科学版）2013，Vol.36Issue(6)：907-910,4.

四川师范大学学报（自然科学版）2013，Vol.36Issue(6)：907-910,4.DOI:10.3969/j.issn.1001-8395.2013.06.019

First-Principles Study of Structural and Electronic Properties of XeF2 Crystal under High Pressure

廖大麟 ¹李佐 ¹王朴 ¹程新路²

作者信息

二氟化氙/态密度/高压

Xenon fluoride (XeF2)/density of states/high-pressure

数理科学

廖大麟,李佐,王朴,程新路..高压下XeF2结构和电子性质的第一性原理研究[J].四川师范大学学报（自然科学版）,2013,36(6):907-910,4.

贵州省教育厅自然科学基金(20090067)资助项目（20090067）

毕节学院自然科学类项目(20112025)对本文给予了资助,谨致谢意. （20112025）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-8395

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