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In插入层对硅衬底外延InN晶体质量和光学特性的影响

蔡旭浦 李万程 高福斌 景强 吴国光 张宝林 杜国同

发光学报2014,Vol.35Issue(1):96-100,5.
发光学报2014,Vol.35Issue(1):96-100,5.DOI:10.3788/fgxb20143501.0096

In插入层对硅衬底外延InN晶体质量和光学特性的影响

Influence of Indium Interlayer on The Crystal and Optical Properties of InN Grown on Silicon Substrate

蔡旭浦 1李万程 1高福斌 1景强 1吴国光 1张宝林 1杜国同1

作者信息

  • 1. 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012
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摘要

关键词

InN/Si/分子束外延/In插入层

Key words

InN/Si/MBE/indium interlayer

分类

数理科学

引用本文复制引用

蔡旭浦,李万程,高福斌,景强,吴国光,张宝林,杜国同..In插入层对硅衬底外延InN晶体质量和光学特性的影响[J].发光学报,2014,35(1):96-100,5.

基金项目

国家自然科学基金(11304112) (11304112)

博士后科学基金(2013M541301)资助项目 (2013M541301)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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