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同质缓冲层对氧化铟锡薄膜特性的影响

宋淑梅 宋玉厚 杨田林 贾绍辉 辛艳青 李延辉

人工晶体学报2013,Vol.42Issue(12):2520-2524,2531,6.
人工晶体学报2013,Vol.42Issue(12):2520-2524,2531,6.

同质缓冲层对氧化铟锡薄膜特性的影响

Effect of Homo-buffer Layer on the Properties of Indium Tin Oxide Thin Films

宋淑梅 1宋玉厚 2杨田林 1贾绍辉 3辛艳青 1李延辉1

作者信息

  • 1. 山东大学(威海)空间科学与物理学院,威海264209
  • 2. 山东大学(威海)资产与实验室管理处,威海264209
  • 3. 威海蓝星玻璃股份有限公司,威海264205
  • 折叠

摘要

关键词

ITO/同质缓冲层/电阻率/透过率

Key words

ITO / homo-buffer layer/ resistivity/ transmittance

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

宋淑梅,宋玉厚,杨田林,贾绍辉,辛艳青,李延辉..同质缓冲层对氧化铟锡薄膜特性的影响[J].人工晶体学报,2013,42(12):2520-2524,2531,6.

基金项目

山东大学自主创新基金(2011ZRYQ010,2011ZRXT002) (2011ZRYQ010,2011ZRXT002)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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