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低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯

孙雷 沈鸿烈 李金泽 吴天如 丁古巧 朱云 谢晓明

人工晶体学报2013,Vol.42Issue(12):2589-2594,6.
人工晶体学报2013,Vol.42Issue(12):2589-2594,6.

低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯

Growth of Graphene on Low Melting Point Alloy Substrates by Chemical Vapor Deposition

孙雷 1沈鸿烈 1李金泽 1吴天如 2丁古巧 2朱云 2谢晓明2

作者信息

  • 1. 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京211100
  • 2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050
  • 折叠

摘要

关键词

石墨烯/Cu-In合金/化学气相沉积

Key words

graphene/ Cu-In alloy/ chemical vapor deposition

分类

化学化工

引用本文复制引用

孙雷,沈鸿烈,李金泽,吴天如,丁古巧,朱云,谢晓明..低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯[J].人工晶体学报,2013,42(12):2589-2594,6.

基金项目

国家自然科学基金(61176062),江苏优势学科建设工程项目(PAPD) (61176062)

信息功能材料国家重点实验室开放课题 ()

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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