量子电子学报2014，Vol.31Issue(1)：107-115,9.DOI:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.01.016
单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究
Relationship between barrier height of single quantum well InGaN/GaN and LED photoelectric performance
摘要
关键词
光电子学/量子阱垒高/In含量/数值模拟/InGaN/GaN发光二极管Key words
optoelectronics/quantum well barrier height/In concentration/numerical simulation/InGaN/GaN light emitting diodes分类
数理科学引用本文复制引用
张大庆,李国斌,陈长水..单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究[J].量子电子学报,2014,31(1):107-115,9.基金项目
国家自然科学基金(60878063)、广东省自然科学基金重点项目(10251063101000001,8251063101000006)联合资助 （60878063）
